Este curso forma parte de Programa especializado: Semiconductor Devices

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63 calificaciones

Wounjhang Park

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Programa especializado: Semiconductor DevicesUniversidad de Colorado en Boulder

Acerca de este Curso

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This course can also be taken for academic credit as ECEA 5632, part of CU Boulder’s Master of Science in Electrical Engineering degree.
This course presents in-depth discussion and analysis of metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) and bipolar junction transistors (BJTs) including the equilibrium characteristics, modes of operation, switching and current amplifying behaviors.

At the end of this course learners will be able to:
1. Understand and analyze metal-oxide-semiconductor (MOS) device
2. Understand and analyze MOS field effect transistor (MOSFET)
3. Understand and analyze bipolar junction transistor (BJT)

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Instructor

Calificación del instructor

4,57/5 (7 calificaciones)

Wounjhang Park

Professor

Electrical, Computer, and Energy Engineering

35.922 alumnos

6 cursos

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Universidad de Colorado en Boulder

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Este curso forma parte de un programa de grado ofrecido por Universidad de Colorado en Boulder. Si te inscribes en un curso sin título de grado a través de la universidad y lo completas en línea, cuenta como horas de crédito para un programa de grado en CU-Boulder. Todo lo que tienes que hacer es solicitarlo a través de la universidad.

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Programa - Qué aprenderás en este curso

Semana

Semana 1

4 horas para completar

Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Device

In this module on MOS devices, we will cover the following topics:, MOS device structure, energy band diagram for MOS device at equilibrium, Flat band condition, Accumulation, Depletion, and Inversion of MOS under bias, Energy band diagram and charge distribution for MOS in inversion, Quantitative model and relevant parameters, Energy band diagram with channel bias, Inversion layer charge, and Effect on threshold voltage of MOS in non-equilibrium, C-V characteristics: Charge distribution under different biasing conditions, C-V characteristics: Frequency dependence, Effects of oxide charge on flat band and threshold voltages in non-ideal MOS, and Types of oxide charge in non-ideal MOS.

4 horas para completar

8 videos (Total 90 minutos), 4 lecturas, 1 cuestionario

Semana

Semana 2

3 horas para completar

MOS Field Effect Transistor (MOSFET)

In this module on MOSFETs (metal-oxide semiconductor field effect transistors), we cover the following topics: History of development of MOSFETs, Device structure, Device types, Circuit symbols, Long channel theory, I-V characteristics, Modes of operation, Channel length modulation, Body bias effect, Bulk charge effect, Sub-threshold conduction, Source/drain charge sharing in short channel devices, Drain induced barrier lowering, Subsurface punchthrough, Mobility degradation, Velocity saturation, Drain current saturation, Scaling of drain current with channel length, and Scaling of speed with channel length.

3 horas para completar

7 videos (Total 65 minutos), 3 lecturas, 1 cuestionario

Semana

Semana 3

5 horas para completar

Bipolar Junction Transistor (BJT)

In this module on BJTs (bipolar junction transistors), we will cover the following topics: BJT Device structures, Energy band diagrams, Active bias, Leakage current, Recombination in base, Hoe injection, Non-uniform doping in base, Current gain, Switching with BJT, Single heterojunction bipolar transistor, Double heterojunction bipolar transistor, Non-uniform material, Early effect, Emitter bias dependence, High-level injection, Base, emitter and collector transit times, and RC time constant.

5 horas para completar

6 videos (Total 79 minutos), 3 lecturas, 2 cuestionarios

Acerca de Programa especializado: Semiconductor Devices

The courses in this specialization can also be taken for academic credit as ECEA 5630-5632, part of CU Boulder’s Master of Science in Electrical Engineering degree. Enroll here.

This Semiconductor Devices specialization is designed to be a deep dive into the fundamentals of the electronic devices that form the backbone of our current integrated circuits technology. You will gain valuable experience in semiconductor physics, pn junctions, metal-semiconductor contacts, bipolar junction transistors, metal-oxide-semiconductor (MOS) devices, and MOS field effect transistors. Specialization Learning Outcomes: *Learn fundamental mechanisms of electrical conduction in semiconductors *Understand operating principles of basic electronic devices including pn junction, metal-semiconductor contact, bipolar junction transistors and field effect transistors *Analyze and evaluate the performance of basic electronic devices *Prepare for further analysis of electronic and photonic devices based on semiconductors

Preguntas Frecuentes

¿Cuándo podré acceder a las lecciones y tareas?
El acceso a las clases y las asignaciones depende del tipo de inscripción que tengas. Si tomas un curso en modo de oyente, verás la mayoría de los materiales del curso en forma gratuita. Para acceder a asignaciones calificadas y obtener un certificado, deberás comprar la experiencia de Certificado, ya sea durante o después de participar como oyente. Si no ves la opción de oyente:
es posible que el curso no ofrezca la opción de participar como oyente. En cambio, puedes intentar con una Prueba gratis o postularte para recibir ayuda económica.
Es posible que el curso ofrezca la opción 'Curso completo, sin certificado'. Esta opción te permite ver todos los materiales del curso, enviar las evaluaciones requeridas y obtener una calificación final. También significa que no podrás comprar una experiencia de Certificado.
¿Qué recibiré si me suscribo a este Programa especializado?
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¿Hay ayuda económica disponible?
Sí. En ciertos programas de aprendizaje, puedes postularte para recibir ayuda económica o una beca en caso de no poder costear los gastos de la tarifa de inscripción. Si hay ayuda económica o becas disponibles para tu selección de programa de aprendizaje, verás un enlace para postularte en la página de descripción.

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Transistor - Field Effect Transistor and Bipolar Junction Transistor

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